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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston 9905701-021.A00G 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
差异
规格
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差异
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
27
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
22
读取速度,GB/s
11.8
17.3
写入速度,GB/s
7.3
10.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2960
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
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Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
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