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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Maxsun MSD44G24Q0 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
66
左右 59% 更低的延时
需要考虑的原因
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.4
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
66
读取速度,GB/s
11.8
15.5
写入速度,GB/s
7.3
7.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1812
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
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