RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 33% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
40
读取速度,GB/s
11.8
13.4
写入速度,GB/s
7.3
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2495
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB RAM的比较
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link