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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
56
左右 52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
7.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
4.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
56
读取速度,GB/s
11.8
7.5
写入速度,GB/s
7.3
4.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
1598
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
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