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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
104
左右 -235% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
31
读取速度,GB/s
3,192.0
16.2
写入速度,GB/s
2,404.5
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3215
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
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Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
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