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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
104
左右 -373% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
22
读取速度,GB/s
3,192.0
18.2
写入速度,GB/s
2,404.5
12.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
3083
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
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