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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
104
左右 -352% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
23
读取速度,GB/s
3,192.0
16.6
写入速度,GB/s
2,404.5
8.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2631
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
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Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
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