RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
64
104
左右 -63% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
64
读取速度,GB/s
3,192.0
18.0
写入速度,GB/s
2,404.5
8.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2197
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX8GF2666C16W4 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link