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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
104
左右 -215% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
33
读取速度,GB/s
3,192.0
16.0
写入速度,GB/s
2,404.5
12.1
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2947
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB RAM的比较
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
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