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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
104
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
44
读取速度,GB/s
3,192.0
11.7
写入速度,GB/s
2,404.5
9.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2727
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
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G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
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