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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
104
左右 -352% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
23
读取速度,GB/s
3,192.0
16.4
写入速度,GB/s
2,404.5
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2532
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
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Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
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