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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
62
104
左右 -68% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.0
2,404.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
62
读取速度,GB/s
3,192.0
16.1
写入速度,GB/s
2,404.5
6.0
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
1586
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
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