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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
70
74
左右 -6% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
70
读取速度,GB/s
4,178.4
15.3
写入速度,GB/s
2,201.1
8.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
1971
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
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Kingston 9965600-005.A00G 16GB
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Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
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Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
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