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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
11.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
74
左右 -196% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
25
读取速度,GB/s
4,178.4
14.3
写入速度,GB/s
2,201.1
11.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2789
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
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