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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
74
左右 -185% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
26
读取速度,GB/s
4,178.4
17.7
写入速度,GB/s
2,201.1
13.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3266
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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