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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
74
左右 -139% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
31
读取速度,GB/s
4,178.4
17.6
写入速度,GB/s
2,201.1
12.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3084
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
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