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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
12.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
74
左右 -174% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
27
读取速度,GB/s
4,178.4
18.7
写入速度,GB/s
2,201.1
12.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3327
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
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Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
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A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
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