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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
74
左右 -155% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
29
读取速度,GB/s
4,178.4
18.1
写入速度,GB/s
2,201.1
13.3
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3299
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
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