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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
74
左右 -124% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
33
读取速度,GB/s
4,178.4
16.7
写入速度,GB/s
2,201.1
10.9
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2876
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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