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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
74
左右 -106% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.9
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
36
读取速度,GB/s
4,178.4
14.7
写入速度,GB/s
2,201.1
8.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2588
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
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