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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
58
左右 22% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
58
读取速度,GB/s
11.9
13.8
写入速度,GB/s
8.1
6.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
1740
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
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