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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
45
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
37
读取速度,GB/s
11.9
14.7
写入速度,GB/s
8.1
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2688
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
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Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
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