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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
54
左右 17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.9
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
54
读取速度,GB/s
11.9
10.4
写入速度,GB/s
8.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2259
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
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G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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