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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston KCDT82-MIE 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Kingston KCDT82-MIE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
47
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
38
读取速度,GB/s
11.8
17.0
写入速度,GB/s
8.0
12.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2302
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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