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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston X2YH1K-MIE 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
47
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
40
读取速度,GB/s
11.8
16.6
写入速度,GB/s
8.0
9.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2875
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB RAM的比较
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
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