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Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
比较
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
44
左右 5% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
44
读取速度,GB/s
11.9
13.0
写入速度,GB/s
7.9
8.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1979
2069
Samsung M471B5173CB0-YK0 4GB RAM的比较
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
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