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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
44
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
37
读取速度,GB/s
13.0
14.7
写入速度,GB/s
8.2
11.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2946
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
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