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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
44
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
13
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
44
41
读取速度,GB/s
13.0
14.0
写入速度,GB/s
8.2
9.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2356
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
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