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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
比较
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
总分
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
55
左右 20% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
55
读取速度,GB/s
13.0
10.0
写入速度,GB/s
8.2
7.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2069
2232
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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