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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
比较
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
总分
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
总分
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
40
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
31
读取速度,GB/s
12.3
16.0
写入速度,GB/s
8.9
10.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1789
2816
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB RAM的比较
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Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
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