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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
比较
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
30
27
读取速度,GB/s
10.6
14.4
写入速度,GB/s
6.8
11.7
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1479
2956
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
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