RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.6
11.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
46
左右 -28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
36
读取速度,GB/s
14.2
14.5
写入速度,GB/s
13.6
11.6
内存带宽,mbps
21300
17000
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
3001
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link