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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
77
左右 -103% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
38
读取速度,GB/s
2,936.9
14.7
写入速度,GB/s
1,884.0
11.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
2882
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
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