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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
77
左右 -114% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.0
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
36
读取速度,GB/s
2,936.9
14.5
写入速度,GB/s
1,884.0
13.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3192
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4000F 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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