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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
77
左右 -157% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.7
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
30
读取速度,GB/s
2,936.9
17.6
写入速度,GB/s
1,884.0
13.7
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3077
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
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Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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