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SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
比较
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB vs Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.7
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
10.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
17000
左右 1.51% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
54
左右 -50% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
36
读取速度,GB/s
15.7
15.0
写入速度,GB/s
11.6
10.3
内存带宽,mbps
25600
17000
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2511
2569
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
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