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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
42
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
34
读取速度,GB/s
11.7
15.9
写入速度,GB/s
8.0
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
2800
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-119.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
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