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SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 -93% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
9.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
52
27
读取速度,GB/s
9.9
17.7
写入速度,GB/s
8.2
13.5
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2285
3198
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
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