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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
比较
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
总分
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
44
左右 -29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
34
读取速度,GB/s
12.3
17.2
写入速度,GB/s
7.8
13.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1977
3055
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
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