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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,978.2
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
66
左右 -89% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
35
读取速度,GB/s
2,929.1
13.6
写入速度,GB/s
2,978.2
11.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
511
2701
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
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