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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
65
87
左右 -34% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
65
读取速度,GB/s
3,155.6
16.4
写入速度,GB/s
870.4
8.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2041
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
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