RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

总分
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

总分
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB

差异 规格 评论

差异

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 16.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    870.4 left arrow 8.2
    测试中的平均数值
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 87
    左右 -295% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 5300
    左右 4.02 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    87 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    3,155.6 left arrow 16.1
  • 写入速度，GB/s
    870.4 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    417 left arrow 2340

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
内存RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
内存RAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
内存RAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
内存RAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
内存RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
内存RAM