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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965589-017.D00G 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
9.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
12.3
写入速度,GB/s
870.4
9.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2617
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Corsair CMX32GX3M4A1600C11 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
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