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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston 9965643-002.A01G 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
87
左右 -278% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
23
读取速度,GB/s
3,155.6
16.2
写入速度,GB/s
870.4
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2546
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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