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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
87
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
36
读取速度,GB/s
3,155.6
13.7
写入速度,GB/s
870.4
10.6
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2504
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K1N7HK-ELC 2GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
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