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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
56
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
56
读取速度,GB/s
3,726.4
18.7
写入速度,GB/s
1,590.1
8.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2235
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
INTENSO 5641152 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Mushkin 994083 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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