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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
总分
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
总分
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
56
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
3
18.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.9
1,590.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
53
56
读取速度,GB/s
3,726.4
18.7
写入速度,GB/s
1,590.1
8.9
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
522
2235
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM的比较
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
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