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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
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规格
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
44
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
31
读取速度,GB/s
10.9
16.0
写入速度,GB/s
7.5
12.3
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
2761
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
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Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
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