RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
总分
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
72
左右 39% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.5
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
72
读取速度,GB/s
10.9
14.5
写入速度,GB/s
7.5
8.0
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1853
1631
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB RAM的比较
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link