RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

27 43

Rund um 37% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

8.9 8.2

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.9 13.2

Durchschnittswert bei den Tests

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2245 2216

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns