Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB vs Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 43

Autour de 37% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

8.9 8.2

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

13.9 13.2

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C-PB 4GB

Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2245 2216

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns